2025-03-10半導體外延爐工作原理
半導體外延爐工作原理:1、反應氣體從鐘罩頂部氣體入口處進入反應室,從排成一圈的六個石英噴嘴噴出,經石英擋板阻擋,沿基座與鐘罩之間向下,在高溫下反應而在硅片表面沉積生長,反應尾氣在下部排出。2、溫度分布2061加熱原理:感應線圈內通過高頻大電流,制造渦旋磁場。基座是導體,處于渦旋磁場中,產生感生電流,
了解詳情半導體外延爐工作原理:1、反應氣體從鐘罩頂部氣體入口處進入反應室,從排成一圈的六個石英噴嘴噴出,經石英擋板阻擋,沿基座與鐘罩之間向下,在高溫下反應而在硅片表面沉積生長,反應尾氣在下部排出。2、溫度分布2061加熱原理:感應線圈內通過高頻大電流,制造渦旋磁場。基座是導體,處于渦旋磁場中,產生感生電流,
了解詳情主要用途:半導體外延爐主要用于化合物半導體器件制造過程中外延膜的液相外延生長,是光電子器件研制、生產中的關鍵工藝裝備。技術特點: 自動化程度高,除裝片、取片外,整個工藝過程均由工業計算機控制自動完成。工藝操作可由機械手完成。 機
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